Компании
IBM и
Micron приступают к изготовлению инновационной памяти Hybrid Memory Cube (HMC) для компьютерных устройств следующего поколения.
Изделия HMC будут изготавливаться на заводе IBM в Ист-Фишкилле (штат Нью-Йорк) по методике HKMG,
которая основана на использовании диэлектриков с высокой
диэлектрической проницаемостью (high-k) и транзисторов с металлическими
затворами (metal gate). Технологические нормы — 32 нанометра.
Для модулей памяти HMC предусмотрено применение технологии TSV (Through-Silicon Via),
суть которой в формировании в кремниевых подложках м
...
Читать дальше »
