Вторник, 02.03.2021, 01:53Главная | Регистрация | Вход

Меню сайта


  • Оставьте Вашу рекламу ТУТ
  • Календарь новостей

    «  Декабрь 2011  »
    ПнВтСрЧтПтСбВс
       1234
    567891011
    12131415161718
    19202122232425
    262728293031

    Форма входа

    Приветствую Вас Гость!

    Поиск

    Друзья сайта

    Главная » 2011 » Декабрь » 5 » IBM и Micron начинают производство памяти нового типа
    IBM и Micron начинают производство памяти нового типа
    13:55



    Компании IBM и Micron приступают к изготовлению инновационной памяти Hybrid Memory Cube (HMC) для компьютерных устройств следующего поколения.

    Изделия HMC будут изготавливаться на заводе IBM в Ист-Фишкилле (штат Нью-Йорк) по методике HKMG, которая основана на использовании диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью (high-k) и транзисторов с металлическими затворами (metal gate). Технологические нормы — 32 нанометра.

    Для модулей памяти HMC предусмотрено применение технологии TSV (Through-Silicon Via), суть которой в формировании в кремниевых подложках миниатюрных отверстий, заполняемых медью. Такие каналы играют роль проводников, что позволяет создавать многоярусные чипы. В результате существенно повышается плотность хранения информации.

    Многослойные модули HMC состоят из кристаллов DRAM, дополненных высокопроизводительной управляющей логикой. По заявлениям разработчиков, по сравнению с обычными микросхемами памяти изделия HMC обеспечивают увеличение пропускной способности в 10–15 раз (до 128 Гб/с) и снижение энергопотребления на 70%. Занимаемая модулем площадь при этом меньше в 10 раз.




    (compulenta.ru)


    Просмотров: 319 | Добавил: nextgen | Рейтинг: 0.0/0 |
    Всего комментариев: 0
    Добавлять комментарии могут только зарегистрированные пользователи.
    [ Регистрация | Вход ]
    Copyright MyCorp © 2021 | Сайт управляется системой uCoz