Исследователям из компании Hewlett-Packard удалось совершить небольшой
прорыв в технологии устройств памяти следующего поколения, известных как
мемристоры. Этот тип памяти считается потенциальной заменой в будущем
таким широко известным технологиям, как флеш и DRAM. Мемристоры являются
пассивными элементами микросхем наряду с резисторами, конденсаторами и
катушками индуктивности. Теоретически мемристоры были предсказаны ещё в
1971 году профессором Калифорнийского университета в Беркли Леоном Чуа
(Leon Chua), но лабораторный образец мемристора впервые был создан
только в 2008 году.
В статье, опубликованной в авторитетном научном издании
«Нанотехнологии», ученые заявили, что им удалось, наконец, установить,
какие процессы происходят в структуре мемристоров при прохождении через
них электрического тока, а также химическую о
...
Читать дальше »
